Thorlabs硅光電二極管－可見光波長

• Si、InGaAs、Ge和雙波段(Si/InGaAs)未安裝的光電二極管

• 波長范圍從200至2600 nm

• FDS100硅光電二極管還提供5個裝、10個裝或50個裝

Thorlabs提供具有各種有源區(qū)尺寸和封裝的光電二極管(PD)標(biāo)準(zhǔn)品。分立式PIN結(jié)光電二極管包括銦鎵砷(InGaAs)和硅(Si)光電二極管。鍺(Ge)光電二極管基于N-on-P結(jié)構(gòu)。

Thorlabs硅光電二極管－可見光波長。我們最快的光電二極管有FDS015、FDS02和FDS025硅光電二極管。FDS015硅光電二極管的上升時間為35 ps，結(jié)電容為0.65 pF，是下面提供的所有光電二極管中速度最快且電容z*低的光電二極管。FD11A硅光電二極管的暗電流為2 pA，是我們暗電流最小的光電二極管。FD10D和FD05D是銦鎵砷光電二極管，在900到2600 nm的范圍內(nèi)響應(yīng)度高，能夠探測的范圍超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm波長。DSD2是雙波段光電二極管，集成上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線，我們提供已安裝的光電二極管和一系列兼容的光電二極管插座。請注意，下面出售的這些二極管都是未校準(zhǔn)的，即不同批次的響應(yīng)度會稍有不同；詳細(xì)信息，請看響應(yīng)變化標(biāo)簽。我們也提供已校準(zhǔn)的光電二極管，它們的校準(zhǔn)過程可追溯至NIST，以校正響應(yīng)度差異。通過PBM42直流偏壓模塊可以給大多數(shù)光電二極管施加反向偏壓，用于速度更快、功率更高的探測。

有關(guān)光電二極管飽和極限和本底噪聲，以及Thorlabs進(jìn)行的有關(guān)空間均勻性(或不同響應(yīng)度)、暗電流與溫度的函數(shù)關(guān)系的實驗信息，請看實驗觀測標(biāo)簽。此標(biāo)簽也闡述了我們定義光電二極管規(guī)格的理論和方法。例如，噪聲等效功率(NEP)與溫度的函數(shù)關(guān)系部分提供了根據(jù)散粒噪聲和熱噪聲確定NEP值的背景內(nèi)容。在零偏壓(光伏模式)的情況下，NEP僅由熱噪聲確定，這是由光電二極管的并聯(lián)電阻引起的。有關(guān)光電二極管的工作、專業(yè)術(shù)語和理論等常用信息，請看光電二極管教程標(biāo)簽。

探測器有源區(qū)邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此，Thorlabs建議將光入射在光電二極管有源區(qū)的中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或針孔。

Thorlabs提供能夠平坦化光譜的濾光片，用于改善硅光電二極管的響應(yīng)均勻度。